Innoscience Technology esordirà in Europa in occasione del più grande salone al mondo dell’elettronica di potenza, Pcim Europe, che si terrà dal 10 al 12 maggio 2022 alla Nuremberg Messe di Norimberga, Germania. Il dott. Denis Marcon, direttore generale Innoscience Europe, è uno dei relatori prescelti per intervenire a questo evento internazionale. Il titolo della sua presentazione è: “Abbattere le ultime barriere che si frappongono all’adozione diffusa dei transistor di potenza al GaN”.
Spiega Marcon:«Molti ingegneri elettronici comprendono già il vantaggio dell’uso dei transistor al GaN nei loro sistemi di potenza, che risultano così più efficienti, più compatti, più leggeri e anche più affidabili rispetto a quanto è possibile ottenere con i tradizionali dispositivi al silicio. Ma esistono due barriere da superare che ritardano l’adozione generalizzata della tecnologia del GaN: il costo elevato e la sicurezza delle forniture (ossia, la produzione in grandi volumi). In questa presentazione illustreremo la tecnologia dei dispositivi ‘GaN on Si’ da 8 pollici di Innoscience e discuteremo come superare queste due barriere che ostacolano l’adozione diffusa dei transistor al GaN. Concluderemo con una panoramica sui sistemi in cui sono stati impiegati i dispositivi al GaN di Innoscience (InnoGaN) e il vantaggio dell’uso dei transistor InnoGaN anziché dei tradizionali dispositivi al silicio».
Innoscience sarà presente all’evento con lo stand 7-249, dove mostrerà le sue soluzioni uniche al GaN, a bassa e ad alta tensione, utilizzate in varie applicazioni. L’azienda è il più grande produttore di dispositivi integrati (Idm, integrated device manufacturer) al mondo interamente impegnato nello sviluppo della tecnologia del GaN, con una capacità produttiva mensile di 10.000 wafer da 8 pollici, che prevede di aumentare a 70.000 Wpm (wafers per month) entro il 2025. Inoltre, i visitatori dello stand Innoscience potranno vedere progetti realizzati in collaborazione con i produttori di gate driver speciali Heyday e MindCet. I dispositivi Hemt al GaN di Innoscience possono, naturalmente, essere impiegati insieme a gate driver di altre marche. I dispositivi, la cui gamma di tensioni va 30 V a 650 V, sono ampiamente usati in molteplici applicazioni – adattatori/caricatori Usb Pd, data center, telefoni mobili e driver Led.
Aggiunge Marcon: «Siamo molto lieti di dare il benvenuto ai visitatori del Pcm, il primo evento europeo in cui Innoscience espone le sue soluzioni. Presenteremo l’enorme capacità produttiva di cui disponiamo – la più grande al mondo – e un vasto portafoglio di dispositivi già disponibile. Inoltre Innoscience è in grado di progettare e fabbricare rapidamente in grandi volumi per soddisfare i requisiti dei clienti dovunque si trovino nel mondo».
