Il Dott. Denis Marcon, general manager di Innoscience Europe, terrà una presentazione alla conferenza International Semiconductor Executive Summit EU (ISES EU) Power intitolata: “Mass manufacturing 8-inch GaN-on-Si power devices: the next generation of power switching technology”. In questa occasione, Marcon sfaterà alcuni miti sulle soluzioni di potenza al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si).
In programma il 14 e 15 settembre 2023 al Regina Palace Hotel sul Lago Maggiore, in Italia, la conferenza ISES EU Power, come altri eventi organizzati da Iese, riunirà rappresentanti della politica, delle imprese, della finanza, della ricerca, leader di settore e figure decisionali con l’obiettivo di sostenere la crescita dell’industria dei semiconduttori promuovendo la collaborazione fra tutti gli attori della sua rete consolidata e riunendo aziende di semiconduttori chiamate ad affrontare sfide comuni.
Nel suo intervento in programma nel secondo giorno, venerdì 15 settembre dalle 9.40 alle 10.00, il Dott. Marcon spiegherà come alcune convinzioni su questo tipo di tecnologie non rappresentino la realtà dei fatti: i prodotti realizzati tramite il processo GaN, secondo Marcon, non sono costosi come si dice, e risultano anche molto affidabili.
Nella sua presentazione, Marcon contesterà una serie di presupposti errati sulla technology GaN, dimostrando le prestazioni e l’affidabilità dei dispositivi di potenza GaN di Innoscience. Mostrerà inoltre come, sfruttando le economie di scala offerte dalle due fabbriche ad alta capacità della sua azienda, totalmente dedicate alla produzione di wafer GaN-on-Si da 8 pollici (ciascuno dei quali offre un numero di dispositivi per wafer all’incirca doppio rispetto ai processi da 6 pollici), sia ora possibile fornire dispositivi di potenza GaN a prezzi competitivi. Concluderà infine la presentazione mostrando come sfruttare i vantaggi dei dispositivi di potenza GaN di Innoscience, sia discreti (InnoGaN™) sia integrati (SolidGaN™), per migliorare le prestazioni dei trasformatori di potenza.
Il Dott. Denis Marcon, general manager, Europe, di Innoscience, ha commentato: «I dispositivi di potenza GaN stanno rivoluzionando il settore dei semiconduttori di potenza rendendo i sistemi per la trasformazione di potenza (AC/DC, DC/DC ecc.) più compatti, più efficienti, più semplici e quindi meno costosi rispetto a quelli realizzati con tradizionali dispositivi di potenza al silicio. A oggi, Innoscience, il più grande produttore di wafer da 8 pollici per dispositivi di potenza GaN-on-Si, ha consegnato oltre 300 milioni di dispositivi che vengono impiegati con successo in numerose applicazioni, portando notevoli benefici ai clienti».
