Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio, che offre vantaggi significativi rispetto a quelli tradizionali basati sul silicio per le applicazioni di potenza, tra cui una maggiore efficienza energetica. Inoltre, i dispositivi basati sul GaN presentano velocità di commutazione anche 10 volte superiori rispetto a quelli basati sul silicio quando operano a temperature più elevate.
E proprio per accelerare l’adozione di prodotti a base di nitruro di gallio da parte del mercato è nata la partnership tra STMicroelectronics, leader nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e Tsmc, la più grande foundry mondiale specializzata in semiconduttori.
«Come leader nelle tecnologie dei semiconduttori a banda larga e dei semiconduttori di potenza per mercati impegnativi come l’Automotive e l’Industriale, ST vede importanti opportunità nell’accelerazione dello sviluppo e della fornitura delle tecnologie di processo GaN, così come nell’introduzione sul mercato di prodotti di potenza e circuiti integrati a base GaN. La foundry TSMC è un partner di fiducia, unico per soddisfare le complesse esigenze dei clienti di ST in materia di affidabilità ed evoluzione della roadmap – dichiara Marco Monti, President, Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics – Questa collaborazione è complementare alle attività sui dispositivi di potenza GaN che stiamo attualmente conducendo nel sito di Tours, in Francia, e con Cea-Leti. Il nitruro di gallio rappresenta la prossima grande innovazione nell’elettronica di potenza, nelle soluzioni di potenza intelligente e nelle tecnologie di processo».
In particolare, i prodotti di potenza e i circuiti integrati basati sul GaN permetteranno a ST di fornire soluzioni per applicazioni a potenza medio-alta con caratteristiche di efficienza superiori rispetto alle tecnologie a base silicio nelle stesse tipologie, inclusi i convertitori per automobili e i caricatori per veicoli ibridi ed elettrici. Le tecnologie di potenza e i circuiti integrati basati sul GaN contribuiranno ad accelerare i megatrend dell’elettrificazione dei veicoli privati e commerciali.
«Abbiamo grandi aspettative riguardo alla collaborazione con ST per introdurre l’elettronica di potenza basata sul GaN nelle applicazioni di conversione di potenza dei settori Industriale e Automotive – afferma Kevin Zhang, Vice President, Business Development di Tsmc – Le eccellenti competenze di TSMC nella produzione basata sul GaN, abbinate alle capacità di STMicroelectronics nella progettazione e qualifica di prodotti per il settore automotive, permetteranno di migliorare nettamente l’efficienza energetica delle applicazioni di conversione di potenza destinate al settore industriale e al mercato automotive, rendendole più ecologiche e contribuendo ad accelerare l’elettrificazione dei veicoli».
ST prevede di consegnare i primi esemplari di dispositivi di potenza discreti basati su GaN ai clienti principali più tardi quest’anno per poi proseguire, entro pochi mesi, con i circuiti integrati GaN.
