StMicroelectronics e Sanan Optoelectronics hanno sottoscritto un accordo per la creazione di una joint venture: le due società, infatti, realizzeranno un nuovo impianto a Chongqing (Cina) per la produzione di dispositivi in carburo di silicio (SiC) su wafer da 200 mm. La jv punta a soddisfare la crescente domanda di componenti per il settore industriale, in particolare per quello automotive. StMicroelectronicsè un colosso specializzato nella produzione di semiconduttori, Sanan Optoelectronics è un’azienda leader nel settore dei semiconduttori composti in Cina.
La nuova fabbrica di SiC ha come obiettivo l’avvio della produzione nel quarto trimestre del 2025 e la costruzione completa è prevista per il 2028. Parallelamente, Sanan Optoelectronics costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati SiC da 200 mm per soddisfare le esigenze della jv, utilizzando il proprio processo di substrati SiC. La jv produrrà dispositivi SiC esclusivamente per STMicroelectronics, utilizzando la tecnologia di processo di produzione e fungerà da fonderia dedicata per supportare la domanda dei suoi clienti cinesi. L’importo totale per la costruzione completa della jv dovrebbe essere di circa 3,2 miliardi dollari, comprese le spese in conto capitale di circa 2,4 miliardi dollari nei prossimi 5 anni, che saranno finanziate dai contributi di StMicroelectronics e Sanan Optoelectronics, con il sostegno del governo cinese e dai prestiti ottenuti dalla jv.
«La Cina si sta muovendo rapidamente verso l’elettrificazione nel settore automotive e industriale e questo è un mercato in cui St è già ben consolidato con molti programmi in corso con i nostri clienti. La creazione di una fonderia dedicata con un partner locale chiave è il modo più efficiente per soddisfare la crescente domanda dei nostri clienti cinesi. Mettere insieme il futuro impianto di produzione di substrati da 200 mm di Sanan con la jv front-end e l’attuale impianto back-end di St a Shenzhen (Cina), consentirà a St di offrire ai nostri clienti cinesi una catena del valore SiC completamente integrata verticalmente», ha dichiarato Jean-Marc Chery, president & ceo di StMicroelectronics. «Si tratta di un passo importante per aumentare ulteriormente le nostre attività operative manifatturiere globali in SiC, che si aggiunge ai nostri importanti investimenti in Italia ea Singapore che continuano ad andare avanti. Ci aspettiamo che questa joint venture sia uno dei fattori per cogliere l’opportunità che vediamo di raggiungere un fatturato SiC di 5 miliardi e oltre di dollari entro il 2030. Questa iniziativa è coerente con l’ambizione di St di ricavi per 20 miliardi e oltre di dollari nel 2025-27 e con il relativo modello finanziario, precedentemente comunicato ai mercati finanziari».
